Оже - электронная спектроскопия

Оже-микрозонд JAMP-10S

Физические принципы

Оже-микрозонд JAMP-10S (JEOL, Япония)

В основе метода Оже - электронной спектроскопии (ОЭС) лежат такие процессы как, ионизация внутренних электронных уровней атома первичным электронным пучком, безизлучательный Оже-переход и выход Оже-электрона в вакуум, где он регистрируется при помощи электронного спектрометра.

Возможности метода ОЭССхема JAMP-10S

  • качественный и количественный анализ состава поверхности и границ зерен с локальностью ~ 50 нм;
  • профиль изменения концентрации по глубине (с использованием методики ионного травления или для клиновидных образцов);
  • исследование химической связи;
  • получение изображений поверхности образца во вторичных, обратнорассеянных и Оже электронах;
  • исследование картин каналирования электронов (оценка кристалличности изучаемой поверхности);
  • получение изображений в режимах композиционного и топографического кон-трастов;
  • топография поверхности;
  • исследования поверхности в режиме растрового электронного микроскопа;

Технические характеристики JAMP -10S

  • Диаметр первичного электронного пучка от 25нм до 100мкм
  • Ток первичного электронного пучка от 10-11А до 10-5А
  • Увеличение от 45х до 20000х
  • Диаметр анализируемой площади от 50нм до 100мкм
  • Энергетический анализатор электронов - цилиндрическое зеркало
  • Диапазон анализируемых энергий от 0 до 3000 эВ
  • Энергетическое разрешение энергоанализатора от 0,35 до 1,2%
  • Режимы съемки Оже - спектров N(E) и dN/dE
  • Ионное травление (энергия; плотность тока; диаметр пучка) от 0,5 до 5кэВ; max 2x10-4 А/см2; d= 2мм
  • Вакуум в камере анализа 2x10-8 Па
  • Размеры образца (максимальные) d =25мм x 10мм
  • Глубина анализируемого слоя от 0,5 до 5,0нм